集成电路工艺培训班

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一、集成电路制造的前工艺集成技术

二、集成电路制造的后道工艺集成技术

三、PVD工艺技术

四、CVD工艺技术

五、litho工艺技术

六、刻蚀的基本原理

七、IBE刻蚀原理及设备

八、RIE刻蚀原理及设备

九、ICP刻蚀原理及设备

十、工艺过程、检测及仪器

十一、氧化

　　 1.　二氧化硅（SiO2）的性质及作用

　　 2.　热氧化生长SiO2

十二、　光刻与刻蚀

　　 1.　光刻工艺流程
　　 2.　光刻胶的基本属性

十三、　掺杂

　　 1.　扩散　
　　 2.　离子注入

十四、　淀积

　　 1.　物理气相淀积

　　 2.　化学气相淀积

十五、　接触与互连

十六、　CMOS工艺主要流程

十七、前端闸极设计、

十八、 信道结构、 源汲极浅结构，以及

十九、 后端铜导线工艺整合

二十、总结与强化讲解

★ 外延生长
★ 掩膜制版工艺
★ 光刻
★ 热氧化
★ 掺杂工艺（热扩散、离子注入）
★ 刻蚀
★ 化学气相淀积
★ 镀膜
★ 集成电路工艺集成技术(MOS工艺、双极型工艺)